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一、負(fù)責(zé)能源模組產(chǎn)品表征測(cè)試技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力規(guī)劃定義，構(gòu)筑高效完備的測(cè)試驗(yàn)證體系，為模組測(cè)試表征質(zhì)量、效率、競(jìng)爭(zhēng)力負(fù)責(zé)。
1、業(yè)務(wù)洞察及競(jìng)爭(zhēng)力規(guī)劃：深入洞察功率模組演進(jìn)趨勢(shì)，把握模組特性表征關(guān)鍵技術(shù)，結(jié)合對(duì)模組應(yīng)用場(chǎng)景、封裝設(shè)計(jì)、工藝路線及功率器件機(jī)理理解，定義模組測(cè)試技術(shù)（方案、平臺(tái)等）發(fā)展方向，支撐模組質(zhì)量發(fā)展；
2、測(cè)試驗(yàn)證體系構(gòu)建及看護(hù)：主導(dǎo)能源模組測(cè)試攔截體系構(gòu)建及看護(hù)，包括不限于研發(fā)測(cè)試驗(yàn)證、量產(chǎn)生產(chǎn)測(cè)試及ORT抽測(cè)，并向前后延申至晶圓攔截及父項(xiàng)測(cè)試攔截，支持測(cè)試覆蓋度及測(cè)試效率持續(xù)提升；
3、測(cè)試技術(shù)創(chuàng)新突破及落地：主導(dǎo)關(guān)鍵測(cè)試技術(shù)突破，并成功應(yīng)用落地。
二【關(guān)鍵能力要求】：
1、戰(zhàn)略思維及技術(shù)洞察力：深入洞察模組產(chǎn)品封裝代際演進(jìn)及寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展對(duì)測(cè)試表征的技術(shù)需求，有專(zhuān)業(yè)的前瞻視野，包括但不限于競(jìng)爭(zhēng)格局、行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)、客戶(hù)痛點(diǎn)、市場(chǎng)洞察等；并能夠轉(zhuǎn)化為模組測(cè)試驗(yàn)證技術(shù)發(fā)展方向及儲(chǔ)備，主導(dǎo)完成能源模組產(chǎn)品測(cè)試驗(yàn)證體系迭代提升；
2、技術(shù)創(chuàng)新與規(guī)劃能力：具備基于模組發(fā)展趨勢(shì)及應(yīng)用理解進(jìn)行測(cè)試技術(shù)規(guī)劃的能力，指導(dǎo)模組表征測(cè)試設(shè)計(jì)；除業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)外，針對(duì)模組特性提出創(chuàng)新驗(yàn)證方法，持續(xù)優(yōu)化模組生產(chǎn)測(cè)試環(huán)節(jié)的精準(zhǔn)有效測(cè)試方案，覆蓋新封裝新工藝新器件等特性；
3、測(cè)試工程能力：具備先進(jìn)測(cè)試驗(yàn)證平臺(tái)設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)的工程能力，支撐創(chuàng)新測(cè)試方案實(shí)際落地；持續(xù)看護(hù)測(cè)試驗(yàn)證平臺(tái)邊界能力及效率提升。

崗位要求
業(yè)務(wù)技能要求：
1、熟悉功率器件/封裝工藝流程，有IGBT、MOS等功率器件/模組開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先；
2、熟悉半導(dǎo)體器件/封裝工藝、器件電氣的測(cè)試原理和方法，熟悉光伏、車(chē)規(guī)電源系統(tǒng)等功率器件應(yīng)用；
3、精通功率器件特性和應(yīng)用、及電源拓?fù)湓恚?br />
專(zhuān)業(yè)知識(shí)要求：
1、功率變換電路及相關(guān)開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)；
2、功率變換控制原理及數(shù)字化控制方案；
3、PCB LAYOUT設(shè)計(jì)；
4、DSP或者ARM外設(shè)及應(yīng)用開(kāi)發(fā)，或軟件代碼開(kāi)發(fā)；
5、相關(guān)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、測(cè)試、認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)和流程。